• DBS Switch

Großflächenplattenbearbeitung «LAP»

EU-Kommission, 4. Forschungsrahmenprogramm (FP4)

Dünnschicht-High-Density-Integration (HDI) bietet die ultimative Lösung für viele bestehende und neue Anwendungen, die eine hohe elektrische Leistung oder kleinere Größe oder beides benötigen. Jedoch sind die Kosten für diese Arten von Substraten bisher unerschwinglich gewesen. Das EU-Konsortium wurde gebildet, um die Kosten für die Dünnschichtsubstraten zu reduzieren; das Hauptziel des Projektes war die Entwicklung und Demonstration der kostengünstigen, hochdichten Substratfertigungstechnologie für die erste Ebene von Chip-Bestückungen, d.h.

  • high-density / low-cost Substrattechnologie
  • Hochleistungs-MCM-D-Technologie (50µm Strukturgrösse, 50µm Via)
  • Überprüfung durch Prototypen auf einer LAP Pilotlinie
  • Kompatibilität der LAP-Technologien von 3 Herstellern
  • Überprüfung der LAP-Technologien mit 3 Vorführmodellen

Die Eignung der LAP-Technologie wurde mit der kommerziellen Realisierung einer Direktübertragung-Satellitenschalter gezeigt, die bis zu 2.4 GHz arbeitet.

Vorteile der LAP-Technologie

Die entwickelten Substrat-Technologien erlauben eine Vielzahl von Verpackungsoptionen von in Transfer-Modulen eingefügten Substraten bis zu integrierten MCM-L/D und MCM-M/D (M = Metall) Area-Array-Packages. Der anhaltende Trend zur Miniaturisierung, höherer Funktionalität und höheren Frequenzen bringt mehrere Herausforderungen mit sich, z.B.

  • erhöhte Funktionalität erfordert höhere Integration
  • Hochfrequenzanwendungen erfordern eine hohe Signalintegrität
  • erhöhte durchschnittliche I/O-Dichte der Komponenten erfordern noch höhere Verbindungsdichten
  • der direkte Anschluss von Chips am Bord (COB) nimmt zu, da dies zu kleinsten Induktivitäten und geringstem Rauschen, verbunden mit höchster I/O-Dichte, führt
  • die Entwicklung von mehreren Chips in einem Gehäuse (MCM) oder sogar von Systemen in einem Gehäuse (SIP) wird durch erhöhte Funktionalität, reduzierter Größe und niedrigeren Kosten gefördert